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推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
hrs连接器 与SPI版本一样，英飞凌新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性，例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。F-RAM本身不受软错误、磁场或辐射效应影响，且无需软件来管理页面边界。其接近无限的耐用性（1013个写入周期）意味着不需要损耗均衡。
为了确保测试系统未来的可扩展性，PXI/PXIe型号40/42-590和LXI型号65-290产品均拥有loop-thru拓展接口，其中矩阵规模大小可以通过使用符合标准的短电缆在机箱中互连相邻模块来扩展-PXI/PXI型号允许进行X轴扩展，而LXI型号允许进行X轴和Y轴扩展，可实现每个机箱高达 16×96 的矩阵大小，也可以通过简单的连接灵活扩展到其他机箱。同时每个PXI模块只占用一个机箱槽位。如此小的槽位占用是通过使用高密度同轴连接器来实现的，以此实现低漏电流驱动保护测量。
为了助力OSM更好的应用，研华提供从产品的设计到批量生产以及产品全生命周期管理全方位支持。我们提供全面的设计参考，硬件文档和制造指南，如模板设计建议和IR回流图，以及实用技巧和信息分享，以确保项目成功并缩短上市时间。
如今，随着新一代Galaxy Z系列产品的惊艳亮相，三星再次展现了其在移动科技创新领域的领先地位。Galaxy Z系列不仅继承了三星在折叠屏技术上的深厚积累，更将实用性与灵活性完美结合，与AI技术深度融合，开创了一系列前所未有的移动体验，为Galaxy AI的发展翻开了崭新的一页。
hrs连接器 除了推出多款高性能RISC-V CPU IP外，赛昉科技也是国内一致性片内网络（NoC）IP的先行者。2023年，赛昉科技先后推出首款商业级一致性NoC IP——昉·星链-500（StarLink-500），以及首款国产Mesh架构一致性NoC IP——昉·星链-700（StarLink-700）。
两款共模片状电感器系列均采用紧凑型封装，并采用铁氧体磁芯设计，可在广泛的频率范围内提供高阻抗，以抑制不需要的传入或传出 EMI 噪声。这些共模片状电感器可满足严格的冲击和振动要求，因为核心采用 0.3/0.4 毫米高的侧壁端子构建，有助于增强 PCB 上组件的机械强度。Bourns SRF4532TA 和 SRF3225TABG 系列还具有低辐射屏蔽结构，工作温度范围分别为 -55 至 +125 °C 和 -40 至 +125 °C。
三星Galaxy Z Fold6在升级用户工作方式的同时，还为用户带来更为精彩的大屏体验。内屏采用了升级的窄边框设计，拥有更大的可视范围和操作空间，而高达2,600尼特的屏幕峰值亮度搭配Vision Booster技术，更带来了全场景的清晰显示效果。另外，高性能的芯片组集成了同品类中出众的CPU、GPU和NPU，为复杂的多任务处理、AI运算提供了有力支持。此外，在相比上代产品1.6倍大的VC均热板、光线追踪技术与升级的游戏助推器的高效协同下，还能够为用户呈现出逼真的画质和自如的操控，令大屏游戏体验更上一层楼。
在汽车电子系统中，温度传感器是汽车电子中必不可少的组成部分，可以帮助系统有效地管理热量，通过实时监测系统总成中的温度状况，及时调整冷却策略，防止过热并优化性能，确保设备持久耐用。
hrs连接器 OptiMOS? 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。
全新AS -8125GS-TNMR2服务器提供使用者存取、运用8个AMD Instinct? MI300X加速器。此系统也搭载两颗AMD EPYC? 9004系列处理器，具有128个核心/256个线程，以及6TB的内存。在每个AMD Instinct MI300X加速器内，每颗GPU具有192GB的HBM3内存，全部通过AMD通用基板（UBB 2.0）连接。此外，全新AS -2145GH-TNMR-LCC和AS -4145GH-TNMR APU服务器则是专门通过MI300A APU来加速高性能计算工作负载。
在自动化系统中，传感器数据的价值会随时间推移而递减，而这些数据必须根据的信息运行，才能实现时延和确定性响应。在工业和医疗应用中，许多决策需要在几毫秒内做出。Embedded+ 能限度发挥合作伙伴和客户数据价值，其高能效和高性能算力使合作伙伴能够专注于满足客户和市场需求。