jst

　　据市场研究公司 TrendForce 称，GDDR7 是图形内存市场的下一个大热门。“随着新 GPU 进入验证阶段，内存公司正在逐步增加 GDDR7 的产量，目前 GDDR7 的价格比 GDDR6 高出 20% 至 30%”，TrendForce 表示。“预计第三季度 GDDR7 芯片出货量将略微提高内存的平均售价。”三星电子于 2023 年 7 月开发出业界首款 32Gbps GDDR7 D-RAM。
jst没有其他供应商生产的蓝牙低功耗产品能像我们的即插即用模块一样简单易用，也无法为更先进的设计提供如此广泛的选项，所有选项都来自同一家供应商，从而不必以功能换取简单易用或以创新牺牲快速开发。
　　新元件的主要性能特点包括：高纹波电流能力，可达7.01 A（120 Hz, +60 °C），在工作温度+105 °C条件下具有≥2000小时的使用寿命。客户可利用基于Web的AlCap工具快捷计算元件在特定应用条件下的使用寿命。

在基于Galaxy AI的能量得分与健康小贴士功能帮助下，用户可以更加具体地了解身体信息，并通过个性化健康建议以及自动检测健身、久坐提醒等功能提升健康水平。戒指充电盒拥有如水晶般清澈的外观，并支持无线充电，用户可以通过多功能按钮周围的灯光轻松了解当前的充电电量。
　　ROM-2860还支持Microsoft Azure AI服务、Qualcomm Snapdragon神经处理引擎（SNPE）SDK和Qualcomm AI Hub等各种开发工具，简化机器学习部署并转换来自Aware、Azure和其他云服务提供商的模型。
jst　　今天推出的新产品「S-82K5B/M5B系列」是3节~5节串联用二次保护用IC、具有以下特点：（1）搭载级联功能（通过连接多个IC，能够保护比一个保护IC所能应对的电池数量更多的电池的功能）、通过比以往大幅度减少的部件结构，实现了6节串联以上的二次电池的电压监视；（2）搭载了IC之间通信的开路检测电路(※1)，可进行更安全的电压监视；（3）备有过充电检测电压精度±20mV的S-82K5B系列和实现业界水准(※2)高精度±15mV的S-82M5B系列的2个系列的产品阵容，可以灵活应对客户的需求。
自今年1月发布初代1470nm产品以来，通过多次结构迭代与升级，近日正式发布全新升级款1470nm 3W以及1470nm 5W激光芯片，新一代1470nm芯片电光转换效率由初代25%提升至36%，达到业内领先水平。
作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。

　　与上一代2.5微米前照式（FSI）GS传感器相比，2.2微米BSI GS传感器在使用F2.0镜头时的灵敏度提高到原来的1.08倍，在使用F1.4镜头时的灵敏度提高到原来的2.16倍。新品OG05B1B是一款采用1/2.53英寸光学格式、分辨率为500万像素的CMOS黑白全局快门传感器。新品OG01H1B是一款采用1/4.51英寸光学格式、分辨率为150万像素的CMOS黑白全局快门传感器。
jstH4010 采用高端电流模式的环路控制原理，实现了快速的动态响应。 H4010 工作开关频率为 170kHz，具有良好的 EMI 特性。H4010采用ESOP-8 封装，芯片底部设计有功率散热焊盘与SW管脚连接，可以有效的帮助芯片散热。
　　该连接器系统中的多种型号适用于各种线对线应用场合的需求。例如，31+1位连接器系统结合了31个电源和接地电路以及高速数据电路，可将封装尺寸多减小30%。每个MX-DaSH连接器都集成了更多功能，简化了线束安装，节省了大量安装时间。组件数量的减少也为进一步简化BOM提供了更多的机会。
“我们不想强迫任何人使用我们的物联网基础设施——你可以自己完成所有这些工作，如果这是一个业余爱好者项目，并且体验的一部分是学习和挑战自己，那就太好了。如果用户想自己动手做所有事情，我们欢迎他们，他们可以卸载 Particle 服务。我们希望提供出色的产品体验，然后向用户证明我们是一个的技术合作伙伴，拥有他们可以信赖的基础设施。”