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　　凭借10W，1000VDC的开关电压和2或3kV直流耐压选项，Pickering的144系列继电器适用于多种应用。3kV版本增加了开关和线圈引脚之间的间隙，以适应更高的电压。可提供1个Form A、2个Form A和1个Form B配置，线圈可以选择5 V、12 V或24 V，具有可选的内部二极管保护。根据需求还可以选择其他构建选项，包括多种引脚配置。Pickering还提供定制负载测试来确保组件严格符合技术规格和用户需求。
aptiv安波福　　800V电动汽车电池架构的革新，正引领着汽车行业迈向前所未有的续航里程与极速充电的新纪元，其应用范畴已远远超越电动巴士与卡车的界限，这一技术飞跃为用户带来前所未有的便捷体验。随着技术的不断成熟与普及，800V电池架构在乘用车领域的普及势头愈发强劲，正逐步成为推动汽车行业绿色转型与智能化升级的重要驱动力。
　　新协议分析解决方案的领先供应商Prodigy Technovations今日宣布推出其PGY-PCIeGen5-PA，即PCIe Gen5协议分析仪。 这种先进的解决方案使工程师能够以高达32GT/s的速度无缝捕获、解码和分析PCIe Gen5流量，从而加快高速PCIe接口的开发和验证。

　　LED符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，采用8 mm卷带包装，ESD耐压高达2 kV，满足JESD22-A114-B要求，根据JEDEC Level 2a进行预处理，适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。
英特尔正在将新的 Arc dGPU 添加到其现有产品组合中，包括 AI 增强型软件定义汽车 (SDV) 片上系统 (SoC)。一些入门级和中端汽车内饰级别可能适合使用 SoC 的集成显卡为驾驶舱供电。然而，英特尔表示，高端汽车可以通过 dGPU 提供更多功能。对于汽车制造商和开发商来说，更好的是，它表示为其 iGPU 平台开发的软件将与 A760A“完全兼容”。
aptiv安波福　SC77708Q 可复用为多通道高边开关驱动，减少外部器件数量。充当高边开关时，SC77708Q 支持可灵活配置的软启动方式，提前设置高边打开时间，在容性负载引发的大电流触发短路保护后，系统可自动通过预设的时间打开高边，并通过电路的状态关断高边。
　　SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。
　　NVMe NANDrive PX系列采用工业级3D TLC（每单元3bit）NAND，支持5千擦写次数（P/E）的高耐久性（可达6,700 TBW），是要求高可靠而成本又不高的应用的选择。该产品系列目前有64 GB、128 GB、256 GB和512 GB多种容量供客户选择。

　　作为 Microchip首批64位产品之一，PIC64高性能航天计算（PIC64-HPSC）系列也即将推出。这些太空级64位多核 RISC-V MPU旨在将计算性能提高100倍以上，同时为航空航天和防御应用提供前所未有的耐辐射和容错能力。
aptiv安波福Melexis推出汽车照明应用开发套件ADK81116。该套件专为简化汽车动态RGB-LED应用的开发流程而设计。这款全面而高效的解决方案配备了预加载的可配置固件，从而无需为此专门开发固件。用户只需通过用户友好的图形用户界面（GUI），就能实现便捷的校准和配置。
全新 Intel Xeon 6 处理器将提供 6700 系列和 6900 两个系列，前者是上一代 Intel Xeon 处理器的升级版，后者是全新的处理器，可限度地提高性能。Intel Xeon 6900 系列处理器将具有更多内核、更高的 TDP、更大的内存通道并支持 MCR DIMM。Supermicro X14 平台也是支持 OCP 数据中心模块化硬件系统 (DC-MHS) 的 Supermicro 平台，该系统可降低复杂性并简化大型云服务提供商和超大规模公司的维护。
　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。