魏德米勒接线端子

新产品包括直流-直流转换器的MGN1系列，它们专为桥式电路中GaN的“高压侧”和“低压侧”栅极驱动电路供电。选择输出电压允许的1驱动水平，从而达到的系统效率。MGN1系列具有超低隔离电容和250V增强绝缘，能够满足高开关速度GaN应用中常见的高dv/dt要求。
魏德米勒接线端子　　与奇景共同开发的T2000内建了由元太科技开发的手写运算处理单元（Handwriting Process Unit），与触控控制器紧密互动，无需透过系统单芯片（SoC），即可支持电子纸笔记本的手写应用。此一创新设计降低了开发复杂度，并加速画面感应回馈速度。
在数据准备阶段，在规模大、来源广泛、格式多样的原始数据中，筛选和清洗出利用于训练的高质量数据常会耗费大量时间；在模型训练阶段，海量小文件数据加载、Checkpoint数据调用对IO处理效率提出严苛要求；模型训练之后，多个数据资源池无法互通、海量冷数据归档带来较高的数据管理复杂度。

XPLR-IOT-1套件使用MQTT-SN协议与Thingstream平台进行节能且节省数据流量的通信；或者，如果希望使用Wi-Fi，则可以借助内置的Wi-Fi模块和u-blox MQTT Now服务来连接云端。
STeID Java Card智能卡平台支持近场通信 (NFC) 规范，从而为在移动设备上创建数字身份提供了一个安全框架。该平台与意法半导体 ST31 微控制器等安全芯片配合使用，这些安全芯片基于双核 Arm? SecurCore? SC000? 内核，并具有额外的硬件安全功能。
魏德米勒接线端子UltraScale+系列较上一代产品，将逻辑单元提升至21.8万个、I/O逻辑单元比降至2、总片内存提升至26.79MB，制程从28nm演进为16nm。以上指标的改善，使该产品在连接性和能效上有所提升。由于降低了30%的总功耗、60%的接口连接功耗，并缩小了封装尺寸，该产品具备更好的成本优势。
此外，T2000电子纸笔记本手写功能，无需系统单芯片（SoC），大幅简化开发流程，并显著提高画面感应反应速度，带来更流畅的书写体验。
TMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时，其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性，TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量，在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。

新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调（HVAC）系统以及工业泵和风扇。
魏德米勒接线端子　　EL3072 和 EL3074 模拟量输入端子模块具有相同的功能，分辨率为 16 位（之前为 12 位），可作为 10 V / 20 mA 通用输入。EL3072 具有 2 个可单独进行参数设置的输入，而 EL3074 则有 4 个。另一个新型号是 8 通道的高密度端子模块 EL3078。EL4072、EL4074 和 EL4078 模拟量输出端子模块具有更高的分辨率，通道数量也扩展到了 8 个。
而向量处理器AndesCore NX27V具备512KB的数据缓存，能支持完整的RISC-V标准数据类型以及晶心为AI应用优化的延伸数据类型。NX27V包含高效能的纯量单元及一个乱序向量处理单元（VPU），其向量长度（VLEN）及数据信道宽度（DLEN）皆为 512 位，每个周期多能产生四个 512 位的运算结果。
　　Dubhe-70在功率、面积以及效率方面都拥有表现，与Arm Cortex-A55相比， Dubhe-70性能高出80%，能效比高出32%，面效比高出90%。与赛昉科技去年推出的主打高能效比的Dubhe-80相比，Dubhe-70的能效比提升21%，面效比提升5%。Dubhe-70可应对高性能场景下对功耗有着严苛要求的各类细分领域，涵盖工业控制、存储、移动终端、边缘终端、云终端、AI等。