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　传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。
安普官网　　Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。
配合此率先上市的策略，Supermicro近期推出基于NVIDIA Blackwell架构的完善产品系列，支持新型NVIDIA HGXTM B100、B200和GB200 Grace Blackwell Superchip。

　　R&S SMB100B微波信号发生器的信号纯度极高，具有极低的单边带 (SSB) 相位噪声、出色的非谐波抑制能力以及适用于所有载波频率的低宽带噪声。对于希望获得更好的近端相位噪声和频率稳定性以及更小的温度性能变化的用户，除标准 OXCO参考振荡器外，还提供适用于所有频率范围的更高性能版本。
　　eSIM支持在无需物理访问的情况下远程更换运营商。设备所有者与选定的移动网络运营商 (MNO) 签订协议，并通过物联网eSIM远程管理器 (eIM) 触发配置文件过程。这种全新的架构显著简化了设备所有者更换运营商的过程。
安普官网　　随着行业对数据存储和运算处理能力提出更高的要求，以及云服务和人工智能的快速发展，服务器的数量不断增加。这促使市场对兼具高可靠性和高成本效益的散热解决方案的需求日益增长。
　　Bourns推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL 系列。这些符合 AEC-Q200 标准的汽车级推挽高压隔离变压器提供高可靠性、紧凑型解决方案，可在工作电压高达 800 V 时提供加强绝缘，在工作电压高达 1000 V 时提供基本绝缘。通过提供单独的加强绝缘层来防护危险电压，HCT8xxxxEAL 系列说明设计师更好地实现安全性和可靠性目标，相比仅具备功能性绝缘的竞争性隔离变压器具有更大优势。
　　Embedded+ 集成计算平台经过 AMD 验证，可助力 ODM 客户缩短和构建时间以便更快进入市场，而无需耗费额外的硬件和研发资源。采用 Embedded+ 架构的 ODM 集成支持使用通用软件平台开发低功耗、小尺寸规格及长生命周期的设计，适用于医疗、工业以及汽车应用。

　　新的STM32MP2微处理器采用意法半导体专有的安全硬件、防篡改控制、安全固件和安全网络配置技术，并结合Arm的TrustZone架构，以确保敏感数据和密钥的机密性，使其具备了先进的安全性。STM32MP2 MPUs 正在进行SESIP Level 3，这是物联网设备安全和合规性的领先安全测试方法，旨在满足全球主要地区即将到来的更严格的网络安全保护要求, 其中包括将于 2025 年生效的美国 CyberTrust 标志和欧盟无线电设备指令（Radio Equipment Directive）。
安普官网随着该款产品批量出货里程碑的达成，美光继续引领市场，为客户提供通过各主流 CPU 平台的大容量 RDIMM。目前，AI 服务器可搭载美光的 24GB 8 层堆叠 HBM3E 作为 GPU 附加内存，以及美光的 128GB RDIMM 作为 CPU 附加内存，从而提供内存密集型工作负载所需的大容量、高带宽及低功耗的基础设施。
　　为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。
　　MicroSpace高压连接器专为抵御极端恶劣的使用环境和条件而研发，具有可靠性且经久耐用。该系列连接器具有高达4N的抗震法向力和超过75N的锁紧力，可以在具有高水平抗震要求的应用场景中发挥出色性能，确保在极具挑战性的使用环境中实现不间断连接。