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  日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案,用于同步降压转换器、负载点(POL)转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级,适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中,SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合,同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。
molex连接器型号此外,两者都是采用三星晶圆代工厂 5nm FinFET 工艺技术制造,使其能够在宽温范围( -40℃~105℃,环境温度)内工作,这点对汽车应用至关重要;与上一代产品相比,这两款芯片功耗更低,性能更强。
PMIC是DDR5 内存架构中的关键组件,可实现更多的内存通道、更大容量的模组和更高的带宽。Rambus DDR5服务器PMIC系列包含符合JEDEC超高电流(PMIC5020)、高电流(PMIC5000)和低电流(PMIC5010)规范的产品。
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  凭借客户可配置的 PWM 或 SENT 输出,HAL/HAR 3936 能够提供灵活性,以适应各种应用场景需求。在 SENT 模式下,传感器遵循 SAE/J2716 Rev.4 标准,具备可配置的参数,如时间指示和帧格式。此外,该传感器具有两种功能模式,即应用模式和低功率模式,可通过输入信号进行选择,从而能够根据操作要求优化功耗。
千赫兹频带的传统噪声抑制设备需要用到厚重的屏蔽材料,其中有些还会使用金属材质。但问题在于,对于以追求尺寸和重量化为首要目标的电动汽车而言,这些材料过于庞大、笨重。
molex连接器型号SC200P系列基于展锐UNISOC 7861平台的双核 ARM Cortex-A75和六核 ARM Cortex-A55处理器,内置Arm Mali? -G57 GPU,搭载Android 12操作系统,同时未来支持Android 14和16的升级,其高性能特性可助力终端在运行过程中以平滑、稳定的状态处理多种智能化指令。
藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 (LPDDR)及奇景开发的动态随机存取内存控制器(DRAM Controller),其功耗在工作模式下小于300毫瓦(mW),睡眠模式下小于2毫瓦(mW),使电子纸产品的充电周期显著延长。
MLX90427还配备高精度的模拟数字转换器(ADC)、强大数字信号处理器(DSP)来辅助处理信号任务,以及用于SPI信号输出的输出级驱动芯片。
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  这一设计优势对于逆变器系统设计人员来说,具有重要意义。紧凑的单板设计不仅简化了安装过程,还为系统布局提供了更大的灵活性,有助于缩短开发周期,降低生产成本。
molex连接器型号  CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压,并且通过单栅极共源极的设计进行了优化,以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ,后续还将推出一系列产品。
同时,配备纹理相机,能够真实还原物体色彩信息。SFH 4726AS LED使用的是红外不可见光,投射时更安全、舒适,不会对人眼造成伤害。此外,智能补光设置使得用户可以自由选择开/关补光,避免光源频闪侧记的影响,真正实现不可见光扫描效果。
该设备专为飞针测试仪终用户和制造商而打造,能够确保安全有效地进行测试,同时给与客户更大的灵活性,在无损性能的情况下让客户能够指定测试位置,以满足独特需求。该探头是泰克为确保客户成功执行自动化测试而进行的一项投资。

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