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　　在充分散热的情况下，连续漏极电流为 29A (70°C)，但在 25 x 25mm 方形 FR4 PCB 中，实际电流低于 10A。
　　4.5V 驱动器的总栅极电荷为 11nC，10V 驱动器的总栅极电荷为 23nC（40V 10A 漏极-源极）。
te代理　　打造专用测试芯片是Dolphin Design确立电源管理和音频IP领域领先地位的关键一步，有助于不断提高其产品性能与质量。Dolphin Design不断提升客户使用的先进制程方面的水平，因为此前在22纳米节点技术上完成的。在设计新IP或进行迁移时，描述和掌握制程，可以确保芯片的性能。
　　此次京瓷新开发的半导体制冷模块,相比以往产品,吸热量※1提升了21%,冷却性能增强。该产品主要应用于汽车电池和座椅的温度调节,此次冷却性能的提升,有助于延长电池的使用寿命。

适于IrDA应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为1米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。为提高便携式设备电池使用寿命，模块降低了功耗，闲置供电电流 < 70 μA，关断模式 < 1 μA。 由于许多使用Rust的项目都要重新使用传统代码，并保留对C/C++的投入，因此这一混合方案可能更具吸引力。我们很高兴能为英飞凌的 Rust 生态系统做出贡献，推出首款通过安全的 Rust 编译器，帮助AURIX?客户开发更加安全高效的应用。 te代理　　该模块的工厂校准温度补偿和嵌入式的32.768 kHz晶体谐振器，提供了-40°C至85°C范围内的±2.5 ppm精度（0°C至50°C范围内为±1.5 ppm；相当于±0.13秒/天），以及+85°C至+105°C范围内的±20 ppm精度。这种高精度时间管理功能，结合超低的时间保持电流（低至160纳安），极大地延长了电池寿命，并支持1.3V至5.5V的宽电压运行范围。 　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。 采用超小型MiniLED封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸为2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先进的超亮InGaN芯片技术，典型发光强度分别达到440 mcd和2300 mcd，比上一代PLCC-2封装解决方案提高四倍。
　　在一块玻璃基板上，如果生产智能手机面板等产品，此前需要 6shot 曝光，而新产品仅需 4shot 曝光，生产性能大幅提升。此外，在生产车载横向大型特殊显示器时，也可以做到无接缝 2shot 曝光。且，玻璃基板搭载台的驱动速度提升约 60%，tact time 提升约 14%，有效提升了量产效率。
te代理为实现这些效率与尺寸上的突破，我们利用了自有的五结 VCSEL 技术，使每个照明器模块能够达到 200 W 的输出功率。我们现在已开发出演示产品，可供客户进行评估、并更好地设想新技术所支持的愈来愈多应用场景。
　　随着储能、充电桩、电源（UPS等）等市场的快速发展，对于高性能、高可靠性的电流传感器需求日益增长。这些应用场景通常需要实时、地监测和控制电流，以确保系统的稳定运行和安全性。然而，传统的开环电流传感器模组往往存在体积大、成本高、精度不足等问题，难以满足这些应用场景的需求。
　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。