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理论上,NAND芯片的堆叠层数越多,其输入输出效率越高、读写速度越快、功耗越低,在相同容量情况下物理空间占用越小。在美光公司媒体交流会上,美光存储事业部 NAND 产品生命周期管理及应用工程总监Daniel Loughmiller回应了记者对堆叠层数的关注. aptiv官网CoolSiC G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下,将MOSFET的关键性能(例如存储能量和电荷)提高了20%,不仅提升了整体能效,还进一步推动了低碳化进程。 HAL/HAR 3936 满足行业对稳健型 3D 位置传感器和符合 ISO 26262 标准的需求,为包括转向柱开关在内的各 阅读更多…